Hệ thống màng cột silicon carbide
Phương pháp siêu lọc màng cột silicon carbide là công nghệ tách màng được điều khiển bằng áp suất. Quá trình lọc của nó được điều khiển bởi chênh lệch áp suất giữa hai mặt màng và dựa trên nguyên lý sàng cơ học.
Quá trình làm sạch của siêu lọc bao gồm cả quá trình làm sạch vật lý và quá trình làm sạch hóa học. Quá trình làm sạch vật lý bao gồm rửa ngược (BW) và xả cấp (FF).
BW là phương pháp sử dụng hướng dòng nước ngược với hướng sản xuất, trong đó nước rửa ngược đi vào từ đầu sản xuất của mô-đun màng và dòng nước đi qua các lỗ màng, có thể loại bỏ các chất ô nhiễm khỏi lớp sâu và bề mặt của các lỗ màng; FF loại bỏ các chất ô nhiễm còn sót lại từ nước rửa ngược và giải phóng khí từ các thành phần màng.
Quy trình làm sạch hóa học bao gồm rửa ngược tăng cường hóa học (CEB) và làm sạch tại chỗ (CIP). CEB và CIP sử dụng các tác nhân hóa học để loại bỏ các chất gây ô nhiễm như keo, chất hữu cơ và muối vô cơ hình thành trên bề mặt và bên trong màng siêu lọc. Việc tăng tần suất và cường độ làm sạch có lợi cho việc loại bỏ triệt để hơn các chất gây ô nhiễm khác nhau.
01 Chế độ hoạt động của hệ thống màng cột gốm silicon carbide
Hệ thống màng siêu lọc cột silicon carbide có thể hoạt động ở nhiều chế độ, bao gồm lọc đầu vào dưới hoặc trên, lọc ngõ cụt hoặc lọc dòng chéo, tùy thuộc vào chất lượng nước đầu vào và yêu cầu về nước sản xuất.
1. Đầu vào dưới, lọc ngõ cụt/lọc dòng chảy chéo
02 Quy trình vận hành hệ thống màng cột gốm silicon carbide
1. Tiêm nước
Mở van xả trên cùng và đưa nước vào màng siêu lọc gốm silicon carbide để xả hết không khí trong hệ thống.
Thời gian hoạt động:
· Iban đầu hoạt động;
·Wkhi chất lỏng bên trong màng được rút hết.
Thời lượng chạy: 2-3 phút.
Nguồn nước: nước đầu vào.
2. Lọc
Nước đầu vào đi qua màng siêu lọc gốm silicon carbide, các chất ô nhiễm được màng ngăn lại. Nước tinh khiết chảy ra từ phía sản xuất. Khi quá trình lọc diễn ra, các chất ô nhiễm tích tụ trên bề mặt màng và chênh lệch áp suất xuyên màng (TMP) tăng dần cho đến khi quá trình lọc hoàn tất và hệ thống tự động chuyển sang rửa ngược.
Thời điểm vận hành: Hoàn tất quá trình phun nước hoặc rửa và tiến hành sản xuất nước bình thường.
Thời lượng chạy: 20-60 phút.
Nguồn nước: nước đầu vào.
3. Rửa ngược phía trên
Sau khi lọc, nước rửa ngược đi vào màng từ đầu ra nước, đi qua lỗ màng theo hướng ngược lại với nước đang vận hành và được xả ra khỏi hệ thống thông qua van xả phía trên; nước rửa ngược phía trên có thể làm sạch khu vực phía trên của bộ phận màng.
Thời gian vận hành: Sau khi hoàn tất bước lọc, chương trình điều khiển tự động sẽ tự động chuyển sang chế độ rửa ngược phía trên.
Thời lượng chạy: 10-15 giây.
Nguồn nước: nước sản xuất.
4. Giảm rửa ngược
Sau khi rửa ngược phía trên hoàn tất, nước rửa ngược tiếp tục chảy ngược qua các thành phần màng từ phía nước sản xuất và được xả ra khỏi hệ thống thông qua van xả phía dưới. Rửa ngược phía dưới có thể làm sạch khu vực phía dưới của thành phần màng.
Thời gian vận hành: Sau khi quá trình rửa ngược phía trên hoàn tất, chuyển trực tiếp sang quá trình rửa ngược phía dưới.
Thời lượng chạy: 10-15 giây.
Nguồn nước: nước sản xuất.
5. Xả nước
Sau khi rửa ngược hoàn tất, nước xả được đưa vào mô-đun màng theo hướng tích cực để xả các chất ô nhiễm rắn còn lại khỏi đường ống mao dẫn. Sẽ không có sản xuất nước trong quá trình rửa.
Thời gian vận hành: Sau khi quá trình rửa ngược đáy hoàn tất.
Thời lượng chạy: 10-30 giây.
Nguồn nước: nước đầu vào.
03 Hoạt động vệ sinh hóa chất
01 Rửa ngược tăng cường hóa học (CEB)
CEB là quá trình thêm hóa chất vào nước rửa ngược để cải thiện hiệu quả làm sạch. Tần suất của nó có thể được thiết lập theo "thời gian hoạt động" hoặc "thời gian chu kỳ rửa ngược tiêu chuẩn", thường là cứ sau 12-72 giờ.
Quy trình CEB:
·Quy trình CEB bao gồm rửa ngược thông thường (lựa chọn), thêm tác nhân hóa học để rửa ngược, ngâm, rửa ngược thông thường và giặt.
·CEB thực hiện các bước tương tự như phương pháp rửa ngược thông thường, nhưng thêm bước ngâm 10-20 phút sau khi thêm tác nhân hóa học.
Đại lý CEB:
·Chất tẩy rửa tiêu chuẩn: NaClO (300-1000ppm)
·Các tác nhân kiềm khác: NaOH (dùng riêng hoặc kết hợp với NaClO để điều chỉnh pH 10-11)
·Chất có tính axit: HCl (đối với chất lượng nước dễ bị đóng cặn, điều chỉnh pH 2-4)
PS: Trước khi thực hiện CEB, độ đục của nước rửa ngược CEB phải được chuẩn độ và kiểm tra.
02 Bảo trì vệ sinh tại chỗ (mCIP)
mCIP là quy trình vệ sinh bảo dưỡng kéo dài thời gian chạy liên tục giữa hai chu kỳ vệ sinh hóa chất. Tần suất của nó có thể được thiết lập dựa trên "thời gian chạy", "thời gian chu kỳ rửa ngược tiêu chuẩn" hoặc "điểm kích hoạt TMP cao nhất".
Lưu ý: Trước và sau khi thực hiện mCIP, cần thực hiện ít nhất 2 lần rửa ngược và rửa định kỳ.
Quá trình mCIP: (rửa ngược → rửa) Lớn hơn hoặc bằng 2 lần → khởi động mCIP → chu kỳ → làm rỗng hệ thống → (rửa ngược → rửa) Lớn hơn hoặc bằng 2 lần
Chú ý:
·Đầu và cuối cần thực hiện ít nhất 2 chu trình giặt và rửa ngược.
·Quy trình mCIP ở trên là quy trình làm sạch tuần hoàn một tác nhân và làm sạch tác nhân thứ hai bằng cách lặp lại bước mCIP từ đầu.
03
CIP (Vệ sinh tại chỗ)
Vệ sinh tại chỗ (CIP)
CIP là một quy trình làm sạch giúp khôi phục tính thấm của màng về trạng thái sạch và tần suất của quy trình này phụ thuộc vào chất lượng nước cấp. Quy trình này thường được thực hiện sau mỗi 1-3 tháng, mỗi lần mất 4-8 giờ.
Chú ý:
·Trước và sau khi thực hiện CIP, cần thực hiện ít nhất 2 lần rửa ngược và rửa định kỳ.
·Yêu cầu về chất lượng nước để vệ sinh cũng giống như mCIP.
Điều chỉnh pH 1-2
Quy trình CIP: (rửa ngược → rửa) Lớn hơn hoặc bằng 2 lần → khởi động CIP → chu kỳ → làm rỗng hệ thống → (rửa ngược → rửa) Lớn hơn hoặc bằng 2 lần
● Khi bắt đầu và kết thúc, cần thực hiện ít nhất 2 chu trình rửa ngược và giặt.
● Quy trình CIP ở trên là quá trình làm sạch tuần hoàn một tác nhân và làm sạch tác nhân thứ hai bằng cách lặp lại bước CIP từ đầu.
04Bảng các bước kiểm soát chương trình
1. Chương trình vận hành hệ thống màng
Bảng bước điều khiển chương trình vận hành hệ thống màng siêu lọc gốm silicon carbide (vìthẩm quyền giải quyết)
2. Hệ thống màng tăng cường rửa ngược bằng hóa chấtchương trình(CEB)
Bảng bước điều khiển chương trình CEB cho hệ thống màng siêu lọc gốm silicon carbide (vìthẩm quyền giải quyết)
3. Hệ thống màng BẢO TRÌcđộ nghiêngin pchương trình ren (mCIP)
mBảng bước kiểm soát chương trình CIP cho hệ thống màng siêu lọc gốm silicon carbide (vìthẩm quyền giải quyết)
4.Hệ thống màng cđộ nghiêngin pchương trình ren (CIP)
Bảng bước kiểm soát chương trình CIP cho hệ thống màng siêu lọc gốm silicon carbide (vìthẩm quyền giải quyết)
Xem xét sự khác biệt đáng kể về chất lượng nước đầu vào giữa các hệ thống khác nhau, các thông số vận hành và vệ sinh cụ thể, các bước, v.v. cần được xác định dựa trên việc gỡ lỗi tại chỗ. Nội dung trên chỉ mang tính chất tham khảo. Nếu bạn muốn tìm hiểu thông tin chi tiết hơn, vui lòng để lại tin nhắn để được tư vấn.